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　　九州ku酷游★★ღ，九州酷游官网★★ღ，KU酷游网站★★ღ。九州ku游官网★★ღ。酷游九州app下载★★ღ，芯片一般是指集成电路的载体★★ღ，也是集成电路经过设计★★ღ、制造★★ღ、封装★★ღ、测试后的结果★★ღ，通常是一个可以立即使用的独立的整体★★ღ。如果把中央处理器cpu比喻为整个电脑系统的心脏女神教典★★ღ，那么主板上的芯片组就是整个身体的躯干★★ღ。对于主板而言★★ღ，芯片组几乎决定了这块主板的功能★★ღ，进而影响到整个电脑系统性能的发挥★★ღ，芯片组是主板的灵魂★★ღ。

　　那么要想造个芯片★★ღ，首先★★ღ，你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)▼

　　其中蓝色的是金属1层★★ღ，绿色是金属2层★★ღ，紫色是金属3层★★ღ，粉色是金属4层★★ღ。那晶体管(“晶体管”自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢？仔细看图女神教典★★ღ，看到里面那些白色的点吗？那是衬底★★ღ，还有一些绿色的边框？那些是Active Layer (也即掺杂层)★★ღ。

　　2女神教典★★ღ、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )

　　3★★ღ、 离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)

　　4.1★★ღ、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的★★ღ，而是为了离子注入而蚀刻的★★ღ。现在就要用等离子体把他们洗掉★★ღ，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构★★ღ，这一步进行蚀刻).

　　4.2★★ღ、湿蚀刻(进一步洗掉★★ღ，但是用的是试剂★★ღ， 所以叫湿蚀刻)—— 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦★★ღ，但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做★★ღ，以达到要求★★ღ。

　　6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)

　　2★★ღ、一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子)★★ღ，作为衬底——离子注入

　　4★★ღ、上掩膜酷游官网app★★ღ！(就是那个标注Cr的地方★★ღ。中间空的表示没有遮盖★★ღ，黑的表示遮住了★★ღ。) —— 光刻

　　8★★ღ、把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次)——光刻

　　9★★ღ、然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质就做成了一个N-well (N-井)——离子注入

　　13★★ღ、进一步的蚀刻★★ღ，做出精细的结构★★ღ。(在退火以及部分CVD)—— 重复3-8光刻 + 湿蚀刻

　　其中★★ღ，步骤1-15 属于 前端处理 (FEOL)★★ღ，也即如何做出场效应管★★ღ。步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL)★★ღ，后端处理主要是用来布线★★ღ。最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线★★ღ！一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片★★ღ，都会被布线遮挡住★★ღ。

　　传统CMOS技术的缺陷在于★★ღ：衬底的厚度会影响片上的寄生电容★★ღ，间接导致芯片的性能下降★★ღ。SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开★★ღ，以达到(部分)消除寄生电容的目的★★ღ。

　　制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构★★ღ，之后的步骤跟传统工艺基本一致酷游官网app★★ღ。)

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